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美国制造的中国技术,美国制造的中国技术有哪些

发布时间:2024-05-29 13:51:55 制造技术 0次 作者:装备制造资讯网

大家好,今天小编关注到一个比较有意思的话题,就是关于美国制造的中国技术的问题,于是小编就整理了2个相关介绍美国制造的中国技术的解答,让我们一起看看吧。

制造CPU需要哪些技术,中国在其中哪几项落后国外?

我国在KBBF晶体上的研究绝对处于领先地位,基本上领先美国1-2代。但是要知道KBBF晶体是发出的波长为173纳米的深紫外光,而目前最先进的光刻机使用的波长为13.5纳米的极紫外光源,这就是差距。另外的差距就是镜头,和精密控制部件了。个人觉得,相对于光源和镜头来说差距较大的还是精密控制部件了。

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关于光刻机所需要的光源主要有三种LPP(激光等离子体光源),LDP(激光辅助放电等离子光源),DPP(气体放电等离子体光源)。阿斯麦公司制造的光刻机使用的是Cymer公司研制的波长为13.5纳米的LPP,而LPP的研发难点就在于“大功率的泵浦激光器和锡靶”。阿斯麦制造的极紫外EUV光刻机的光源用的泵浦激光器的功率是满足要求的,至于功率有多大,也只有他们自己知道了。目前来说,我国可能还制造不出功率足够大的泵浦激光器,但是我国在激光领域并不落后,毕竟制造出了神光系列激光器,应该在5年之内可以制造出来。

另外,就是锡靶了,阿斯麦的极紫外EUV光刻机中的光源用的是液滴锡靶,其中微流控,预打靶,防污染是难题。毕竟是Cymer公司用了20年时间,烧了200亿美元才研制出来的,。由此可知,极紫外EUV光源也是个较大的难题啊!

另外就是精密控制部件了。说到精密控制,在光刻机中最典型的就是掩膜台了。掩膜台的运动是纳米级别的,这就需要极其精密的设备进行控制了?而精加工就是我国机械加工行业的软肋,极高精密的机床,高端数控系统等等都无法自产。精加工就与一国的基础工业息息相关了,毕竟在精加工这一块,我国起步较晚,技术积淀不如德日美等发达国家,这也是无可奈何的事情。所以说,想要在精加工这一块彻底赶上国际先进水平,并不是投钱在短时间内就可以赶上的。弯道超车并不容易,人家发展数十上百年的技术,又怎么会是你几年就可以超越的。精加工这一块,需要的就是脚踏实地,容不得一点浮躁。

再者就是镜头了。事实上,能够制造光刻机镜头的可不止德国蔡司公司一家,像日本的尼康,佳能,也是可以制造的。另外,国内光学镜头的发展,也没有想象的那么大。目前来看,国内长春光机所已经可以制造出侦察卫星所用的直径为4米的碳化硅镜头。阿斯麦公司制造的EUV光刻机的反射镜是钼/硅多层反射镜,主要是波长较短的光必须采用低序数的材料才能获得比较大的折射率。极紫外EUV光刻机中的钼/硅反射镜也就是几十对吧,主要是用来平衡损耗和反射率,兼顾工艺难度。制造这种反射镜就需要极其精密的抛光和检测设备,国内制造4米级反光镜的抛光设备是磁流变抛光机。由此可知,我国是不缺乏制造先进高精度反光镜设备的。

光刻机比较重要的几大部件中,也就是精密部件了。毕竟这是我国的传统弱项,想要突破也不是一朝一夕就能完成的。

制造cpu需要哪些技术,中国在其中哪几项落后国外?

可以说整个行业都欠缺,1生产工艺,至少差五年,

2,设计理论,至少差10年,100个教授的研究。

3,产业链,至少差5年20-30家公司的配合

4,专利,至少差10年,上百企业的研究。

全球五大半导体设备制造商,没有一家是中国的,每一家都在半导体的某个分支领域拥有领先的技术,世界上任何一个半导体制造公司包括INTEL,都受制于这五大设备商提供的设备和技术,很不幸,冷战后瓦森纳协定对中国的技术和装备禁运限制,比对俄罗斯还严格,中国能拿到半导体生产技术设备,往往是五年前的,比如. intel,三星,台积电2015年只能买到ASML2010年生产的32nm的光刻机,五年时间,对半导体来说,已经足够让市场更新换代3次了。

现在INTEL最低端的Cpu赛扬双核G1610卖200块钱,制程工艺22纳米,3年前出的Cpu,中国能买到的半导体生产设备,就算这个低端货,中国都生产不出来。

如果中国购买最先进的半导体制造设备,追赶INTEL很难,但快速拉进跟台湾,韩国的半导体制造水平是有可能的,台积电2014年研发经费,不到18亿美元,对比下,华为2014年研发经费是400亿人民币=65亿美元,是台积电的3倍。

全球五大半导体设备制造商,

AM公司,全球领先的半导体,平板显示和太阳能光伏行业,精密材料工程解决方案供应商。

来简单聊聊吧!

从芯片生产制造层面来说,比较重要的就是代工厂商的生产技术,而在具体生产过程中还需要光刻机这项最核心的技术装备,就这两项来说,我们大陆厂商至少落后5~10年,如果未来不积极追加投入,不集中资源来推进的话,可能落后时间更长。

现阶段国内技术最好的代工厂商是台湾省的台积电,全球第一,其次是大陆地区的中芯国际。

台积电:生产工艺全球第一,已经在研发最先进的3nm制程,5nm制程今年将量产。但是由于是台湾地区的厂商,虽然也是中国企业但是我们的控制力较弱,关键时刻不一定能靠得住。

中芯:这样我们真正能依靠的就只有大陆地区的中芯,但是他目前的技术实力在全球各芯片代工厂中处于底层,现有技术只能实现14nm制程的量产(今年产能情况见下图),下一代 N+1 制程能实现类似于7nm低功耗版,这个制程要2021年才能全面量产,而相当于7nm高性能版的N+2制程目前还不确定什么时候能量产。

差距:因此,从技术层面来说中芯至少和台积电差了2-~3代左右,中芯要赶上就需要持续发力,集中大量资金进行研发。

代工厂生产芯片需要的核心设备是光刻机,而我国在这方面的确比较落后,目前量产光刻机为90nm制程(上海微电子研发生产)。

国产光刻机最新消息:不过,今年传来好消息,国产28nm节点光刻机可能于今年年末下线(下图为最新光刻机的外观专利图),这台机器如果能量产的话,最高能用于7nm制程工艺的生产,这样一来基本上能保证我们现有大部分中高端芯片的生产。

但是,光刻机从研制下线到真正的量产还有一段时间,最快也得要1~2年,这其中还得解决良率的问题。真正放到代工厂一线使用怕是需要更长久的时间。

差距仍旧不小:此外,从光刻机的技术角度出发,我们28nm光刻机即便量产,和荷兰ASML光刻机仍旧有很大差距,目前他们量产了7nm EUV光刻机,可用来生产5nm、3nm这样选进制程的芯片。

制造CPU需要的技术和知识多了去了,从设计到工艺,中国在其中的任何一项都远远落后于国外,尤其是落后于美国。

1,生产工艺,至少差5年。

2,设计理论,至少差10年100个教授的研究。

3,产业链,至少差5年20-30家公司的配合。

4,专利。至少差10年.上百企业的研究。

但是,如果不追求最先进的成果,以市场5年前产品为目标,那么基本只差5-6年的差距。

乙肝疫苗技术,到底是中国自己研发的,还是美国赠送的?

这个不重要,是世界人民发明的。病毒是地球人类共同的敌人。在共同的敌人面前,我们生活在一个地球村里,是一个战壕里的朋友,在此关头,我们谁也不能独善其身,还有时间与精力分个你的、我的、什么的,必须团结协作,争分夺秒消灭敌人。我们国家致力于与全球人民和谐相处,建立人类命运共同体。我们研制出的新产品总是毫不保留地与全世界人民共享,物美价廉,享誉海外。而有一些国家打着知识产品的幌子,到处招摇撞骗,损人不利己,注定是孤立的、失败的

到此,以上就是小编对于美国制造的中国技术的问题就介绍到这了,希望介绍关于美国制造的中国技术的2点解答对大家有用。