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制造cpu的技术,cpu 制造

发布时间:2024-03-25 07:44:11 制造技术 0次 作者:装备制造资讯网

大家好,今天小编关注到一个比较有意思的话题,就是关于制造cpu的技术的问题,于是小编就整理了1个相关介绍制造cpu的技术的解答,让我们一起看看吧。

为何CPU只用硅,而不用能耗更低的锗制作?

其实,最开始的晶体管就是用锗!

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后来人们才发展硅。

硅和锗的优缺点我都不讲,只讲一件事,那就是硅的储量大,价格便宜!

在实际应用当中,追求极致性能的情况并不多见,更多的时候,人们不得不在性能和价格中间妥协。举个例子,把硅换成锗,功耗能降低多少呢?但是价格又会提高多少?

再举个例子,目前来说,就导电性来说,银比铜要好很多,但是,谁家电线用银子?还不是因为太贵嘛!

锗和硅都是常见的半导体材料。记得60年代刚刚接触到电子元器件时,有很多锗材料的晶体二极管和晶体三极管,后来基本上都是硅材料的二极管和三极管,这个从型号上就能区别出来。

现在大量应用硅材料制作CPU和其它超大规模集成电路而不用锗材料,主要原因是硅材料大量存在,性能稳定工艺技术成熟,成本低廉,这些都是锗材料不具备的优势。

锗很难用来做CPU,硅的地位也很难被取代

在元素周期表中,金属和非金属元素之间有十二种具有半导体性质的元素,分别是:硼(B)、金刚石(C)、硅(Si)、锗(Ge)、灰-锡(Sn)、磷(P)、灰-砷(As)、黑-锑(Sb)、硫(S)、硒(Se)、碲(Te)、碘(I)。

其中的大多数是不稳定的,硫、磷、砷、锑、碘都易挥发,灰-锡低温下才稳定,硼的熔点太高,不易制备单晶。只有锗、硅性能优越。

半导体是指在常温下电导率介于金属和绝缘体之间的一种材料,半导体的电导率并不是一成不变的,它会随着掺入的杂质元素、受热、受光照、受外力等种种外界条件,在绝缘体和金属之间电导率内发生变化。

第Ⅳ族的锗和硅的最外层电子有4个,原子之间能够形成排列整齐的晶格价键。而临近的Ⅲ族和Ⅴ族则变成了掺杂元素。

放在一起就形成了PN结,它具有单向导电性,电流只能从这一头流向另一头。

一个PN结就可以形成半导体元器件中最简单的二极管,它同时也是构成三极管、场效应管等众多半导体元器件的基础结构。

给PN结加正向电压(P区接正极、N区接负极),多数载流子将在外电场力的驱动下源源不断地通过PN结,形成较大的扩散电流,称为正向电流。

给PN结加反向电压,多数载流子扩散运动减弱,没有正向电流通过PN结,只有少数载流子的漂移运动形成反方电流。由于少数载流子为数很少,所以反向电流很微弱,电阻很大。

在PN结处没有可以自由移动的电子和空穴,但晶格原子外层有许多被束缚的共价电子。光照射时共价电子获得能量,脱离晶格原子的束缚,变成可以自由移动的电子和空穴。所以光照可以使PN结产生电流。

为何CPU只用硅,而不用能耗更低的锗制作?

经常有朋友问及这个问题。

简单回答一下。

第一、硅和锗储量相差巨大。

地壳中的元素丰度,硅是27.8%左右,也就是四分之一还多,锗是1.8ppm,也就是百万分之1.8,两者相差14万倍之多。硅可以由储量很丰富的石英提取,而锗只能在煤烟灰当中找到极微量。从这一点看,锗就不适合做CPU,自然界储量太稀少,提炼太复杂,不用说,价格是天价,平民无缘使用。

第二、锗有开启电压低的优点,同样情况下制作出的电子元件耗能低不少,但是这种半导体高温性能很差,不适合高集成、大功率场合使用。

第三、硅本身是半导体,氧化以后的二氧化硅是很好的绝缘体,硅的机械性能、导热性能也不错;硅、二氧化硅和铜、金、银、铝等常用的电子工业材料亲和力好容易配合,相反,锗很难有绝缘性能良好又稳定的化合物,与铜、银、金、铝等电子工业常用材料配合性能很差。

因此,如果用锗做半导体,成本巨高、性能巨差,没有低成本性能好的配套工艺技术供使用,不适合制造CPU一类器件。

到此,以上就是小编对于制造cpu的技术的问题就介绍到这了,希望介绍关于制造cpu的技术的1点解答对大家有用。