制造工艺是核心技术吗(挡不住了复旦大学正式宣布，突破芯片底层技术)

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晶体管技术：智能电子的基石

在现代科技领域，晶体管技术已经成为了智能电子的基石。手机SoC芯片，比如华为的麒麟、苹果的A系列、高通的骁龙，以及联发科的天玑，都以其精密的晶体管布局而备受瞩目。然而，晶体管技术的发展并非一帆风顺，它受到了制造工艺和光刻机等因素的影响。

在芯片制造过程中，光刻机的先进程度至关重要，而制造工艺也非常关键。正因如此，尽管台积电和三星都拥有EUV光刻机，但台积电的芯片在良率、性能稳定性以及发热控制等方面却表现更为出色。

制造工艺的核心就在于晶体管技术，而近日，中国取得了突破，实现了下一代晶体管技术的重要进展。这一突破，或许将在智能电子领域掀起一场革命。

晶体管，指甲盖大小的芯片，它们内部容纳着数以亿计的晶体管。晶体管是集成电路的基本元素，它们能够调节电流或电压，开关或放大信号。晶体管的结构包括源极、栅极和漏极，电流从源极流向漏极，而栅极则扮演着一个重要的控制角色。

早期，控制栅极开关的方式是电场，即FET。然而，随着制程不断微缩，新的技术应运而生，其中最主要的是FinFET技术，它在16nm及以下制程中得到广泛应用。

FinFET技术的采用，使得晶体管技术得以不断前进，但随之而来的问题也随之而来。特别是在7nm及以下的制程中，晶体管密度的提升需要高端的EUV光刻机的支持。然而，美国对EUV光刻机的出口一直受到限制，这让许多国家感到困扰。

然而，复旦大学最近的研究为这一问题提供了一个潜在的解决方案。他们研发了晶圆级硅基二维互补叠层晶体管，即CFET技术。与传统的晶体管技术不同，CFET技术可以在相同的工艺节点下，实现器件集成密度的翻倍，从而提高性能。

这一成果已经在国际顶尖期刊《自然-电子学》上发表，并引起了广泛关注。CFET技术被认为是GAAFET技术的接班人，将在3nm及2nm制程中发挥关键作用，为未来的晶体管技术发展奠定了基础。

随着制造工艺的不断微缩，晶圆的成本也呈指数级增长。这对于制造工艺的继续进步构成了重要制约。然而，CFET技术的出现为解决这一问题提供了新的可能性。如果将CFET技术与芯片技术相结合，那么制造成本将大幅下降。目前，英特尔已经开始布局相关技术，而中国的复旦大学也展现出了强大的潜力。

如果CFET技术能够全面应用，那么14nm工艺的芯片将能够实现7nm制程的效果，从而摆脱对EUV光刻机的依赖。这将为智能电子的未来发展带来全新的可能性。

总之，晶体管技术的不断进步将推动智能电子领域的发展。从EUV光刻机到CFET技术，每一项技术突破都将为智能电子带来更强大的性能和更低的制造成本。这个领域的未来充满了无限可能性，我们将继续关注其中的每一个重要进展。

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