制造技术突破成果，制造技术突破成果有哪些

大家好，今天小编关注到一个比较有意思的话题，就是关于制造技术突破成果的问题，于是小编就整理了1个相关介绍制造技术突破成果的解答，让我们一起看看吧。

传统芯片制造工艺最终能突破多少纳米？量子芯片多久可以变为产品？

台积电董事长张忠谋说：2017年，台积电制程已演进至10nm，2018年要量产7nm，5nm则将依序接后，3nm的发展时间基本上已经有一定的计划了并且他还强调未来还将往2nm以下。

但是这只能听听而已，以台积电的尿性，14nm他们就宣称是10nm，10nm他们说是7nm，也许当他们说3nm时，实际上可能只是5nm。传统半导体（以硅为衬底的）制造绝不是人有多大胆地有多大产的。硅材料1.12eV的禁带宽度决定了晶体管线宽缩减到5nm时，栅失去对沟道电流的控制，因为这时候量子隧穿将会非常显著，以至于晶体管关态时，仍然会有相当的沟道漏电流。什么是量子隧穿呢？打个比方相当于有一座堤坝，低处的水（能量低）越过堤坝（势垒）！如果不借助外力看起来是不可能的，但是在微观情况下就完全不一样了，能量低的粒子也能以一定的概率越过势垒，尽管概率很小。概率有多大？这需要求解薛定谔方程，各位看官有兴趣的话「量子力学」了解一下。对于硅材料来说，1.12eV的势垒高度多少显得寒碜了！

所以我认为硅材料的传统制造极限将在5nm附近结束，毕竟摩尔情怀如果不能带来更高的性价比时也就差不多要寿终正寝了。再往下，就已经不再是“传统”制造了，而是量子时代了。

采用单电子器件是可能的途径之一。单电子晶体管也一样能实现目前的CMOS逻辑，并且尺寸越小性能也越好，可以一直小到原子层级！所以一旦量产，半导体制程可以缩减到1nm甚至更小，在后摩尔时代，单电子器件应该大有可为。

另一条比较可行的途径是光量子芯片，Intel，IBM、谷歌、微软、富士通以及国内的中科大、阿里都在研发不同的量子计算机，日本富士通的数字退火量子计算芯片，英特尔也基于硅自旋量子比特在做研究，不过上述量子类计算与现有计算机原理不同，量子计算机依据的是量子学的测不准原理，量子纠缠态可以同时当作0、1，因此量子计算机能够实现现有计算机做不到的功能，但它并不能取代现有计算机系统，双方的用途并不一样。至于什么时候量产，这个不好说，尽管日本富士通已经宣称量产在即。

到此，以上就是小编对于制造技术突破成果的问题就介绍到这了，希望介绍关于制造技术突破成果的1点解答对大家有用。