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EUV光刻机难还是原子弹难？

还是原子弹难！EUV光刻机相对简单！

EUV光刻机确实很难，现在世界上也只有荷兰ASML公司能够制造出来这样的光刻机。但是对于我们来说，在EUV光刻机上已经有一些技术储备，现在可能只需要动用几个研究所加上大学加上光刻机厂家就足够了，可能短则两三年，长则五六年就能够获得突破，成功制造出来EUV光刻机。

原子弹显然是更难一些，原来我们搞原子弹的时候，面临着技术封锁以及物资等各方面的封锁，而且当时世界上也就是极少数国家有这个原子弹技术。但是当时的情况下，搞出来原子弹，就意味着国家拥有了威慑力量，就意味着没有人胆敢再去轻易惹你，于是在当时非常困难的条件下，我们开始举全国之力来搞原子弹，最终历经数年搞出来了原子弹，并且搞出来了氢弹，而且导弹技术也是获得了快速的突破，拥有了洲际弹道导弹技术，拥有了更强的威慑力量。显然在当时的条件下，搞出来原子弹是更难一些的。

现在对我们来说，想搞出来EUV光刻机可能也不算太困难的事情，我国工业体系非常完善，是全球拥有最完善制造业体系的国家。而且我国在历史上也有光刻机的研发，而且我国有几个研究所已经对EUV光刻机做了很多年的研究和技术储备，再加上我国上海微电子已经研制出来了28纳米光刻机，可能会在明年或者后年交货。

这款28纳米光刻机，应该是193nm duv，也就是采用了193nm光源的光刻机。而台积电前两年生产第一代7nm芯片是采用的使用的就是193nm光源的光刻机，而之前上海微电子生产的90nm光刻机使用的是365nm的光源，还有上海微电子最近10年的研发费用只有区区6亿元人民币，还没有一台光刻机的价格贵，这就能搞出来193纳米光源的DUV光刻机可能也算是非常牛了。

因此，从现在我国光刻机的研发情况来看，我们的差距可能并没有想象中那么大，也没有某些人说的那么大，而且对于我国非常有利的还有市场规模。根据海关统计，我国2019年半导体进口金额达到了3040亿美元，折合人民币达到了2.1万亿元的规模，这么大的规模，其中大部分都是能够采用国产193纳米DUV光刻机进行制造的。

在这样的情况下，我国EUV光刻机如果加大重视力度，开始集中人力物力提速研究开发，那么我国有可能很快就能够拥有EUV光刻机的技术，就能够在未来的几年内生产出来先进的EUV光刻机产品。

综上所述，原子弹更难，而EUV光刻机显然更简单一些，而且我们已经研发出来了193纳米的DUV光刻机，未来只要我们加大研发力度，更加重视，那么可能很快我们就能够拥有自己的EUV光刻机产品了。

本来不想回答这个问题，但是看了大部分老师们的“EUV光刻机比原子弹”还难造的言论，我还是忍不住了来回答这个问题。

我想问问老师们：你们知道原子弹的制造原理吗，制造难点在哪里吗？原子弹是大规模杀伤性武器，原理很简单，但是研造技术难度大。首先要有核材料，也就是铀235，铀235储量少，开采难度大，没有先进的技术水平很难获得铀235；其次是离心机，而且是上万台串联的不停工作；再者，必须拥有庞大的军工系统；还需要有尖端的物理学家，巨额资金投入，缺一不可。

大部分老师的观点是：世界上能制造原子弹的有7-8个国家，而EUV光刻机只有荷兰能造，然后从光源等多方面论述，得出了光刻机比原子弹难造的谬论。

原子弹是超级武器，是确保国家安全的最有效威慑手段，只要你拥有了核武器，也意味着国家进了保险箱，无核国家不敢轻易招惹你，有核国家也忌惮你。拥有核武器就成为各个国家的追求的目标，不管难度有多大，都会举全国之力研发、制造原子弹。

EUV光刻机是高端精密机械，制造难度固然很大，但是除中国外可以花钱买来直接用，没必要费那么大劲搞研造；原子弹你能买来吗？有人卖给你吗？

制造原子弹仅有决心是不行的，没有技术是造不出啦的；造EUV光刻机技术不是决定因素，决心最重要。

综上所述，老师们你们还认为原子弹容易造吗？欢迎讨论🙏🙏🙏

这个问题二百余年的前人就已经明明白白的告诉了我们。清.彭端淑《为说》里开篇即说清楚：天下事有难易乎?为之，则难者亦易矣；不为，则易者亦难矣。做万事皆如此，难道还有疑问吗？

我们西北角的某斯坦朋友、东北角的某半岛朋友，以及中东的某朗，会毫不犹豫回答：肯定原子弹比EUV光刻机容易造啊，要不是5常压着，现在拥核国家的数量至少会再翻一番，EUV光刻机能够随便造，但能造出的也就是荷兰ASML，还是和美国凑份子的结果。

对此看法，美国、欧洲英德法、日本和韩国深表赞同，并纷纷点赞。

为何？因为它们都曾是EUV光刻机设计制造大赛选手，它们都深知EUV光刻机的复杂性，而且复杂得令人难以置信：

光源问题是第一个大坑，主要表现为：EUV光线特别容易被吸收，输出EUV的能量转换效率低、功率提升难度大，每一个坑都不容易填，掉进去很难爬出来。

在EUV光刻机机中，光源要将等离子体转换成波长13.5nm的光，然后这些光会在一种包含10个多层镜面的复杂配置方案中反射（反射示意图见上图中的图4）。

由于EUV光线特别容易被吸收，不仅需要在真空环境下传输光线，而且用传统透镜折射光线的方案也被废了，因为经过透镜折射后，能量将衰减到无法用于光刻，所以只能采用反射镜来改变和汇聚光线。这样一来，擅长制作透镜的蔡司的武功被废，之前积累的透镜磨制技术被淘汰了。

制作全新的反射镜，意味着开发成本和难度上升一个等级。

但和提高EUV的输出效率比，制作反射镜的难度还是低了一个指数级。

EUV光源主要有两种：LPP(激光等离子体)光源和DPP（放电等离子体）光源。

到此，以上就是小编对于wow制造业一键做装备宏的问题就介绍到这了，希望介绍关于wow制造业一键做装备宏的1点解答对大家有用。